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反射高速電子線回折装置(RHEED)

反射高速電子線回折装置(RHEED)

反射高速電子線回折法(Reflection High Energy Electron Diffraction : RHEED)は、真空中で10〜50keV程度の電子線を試料表面に浅い角度で入射させ、試料表面の結晶格子で回折した反射図形を検出することで結晶表面の状態を調べる分析手法です。

RHEEDで入射する電子線は試料表面から数原子層程度しか侵入しないため表面状態に極めて敏感であり、主に結晶性,表面の平坦性,表面構造の情報が得られます。

また、電子線は蒸着の過程に影響しないため、分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy : MBE)法などにおける成長中の表面構造のその場(in-situ)観察ができるという利点を持っています。

特長

  • 表面近傍の原子構造の解析が可能。
  • 表面の平坦性の情報を得ることで、結晶成長状態のその場観察に対応。
  • 分析深さ : 表面から0.3〜1nm程度。

PLDとRHEEDとの複合装置例

PLD-RHEED複合装置例

RHEEDモジュール : RHEEDユニット RHD-30K-034

  • 加速電圧 : 最大30kV (常用25kV)
  • フィラメント : タングステン(W)ヘアピン
  • 出射電子ビーム径 : φ0.5mm

成膜チャンバー

  • コンパクトレーザーMBE PAC-LMBE

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
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イベント情報

2022年9月20日〜23日
【併設展示】
応用物理学会秋季学術講演会(於:東北大学 川内キャンパス)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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