真空装置オプションユニット

超高真空下で加速収束された電子線を基板に照射し、表面キャラクタリゼーションを行うための反射高速電子線回折（RHEED）ユニットです。

標準的な回折像観察に加えて、オプション追加により高圧条件下での測定またはサンプル面内スキャン機能を実現することができます。

ターゲットの自転およびターゲット交換のための公転などの機構を持つユニットです。

超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を1000℃以上に上げる事が可能となっています。

プロセスガス特に酸素中でも過熱でき、構造上酸化しにくくなっています。

本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。

本機構は、既存のヒーターによる裏面加熱に付加する形で基板の表面に直接レーザーを照射することで基板加熱をアシストします。

二つの加熱機構が熱の逃げを補い合うことで加熱能力を大きく向上させることが出来ます。

1枚の基板上にあらゆる組み合わせの薄膜を一括形成させるコンビナトリアル成膜をするためのコンビナトリアルマスクの位置制御ユニットです。

本ユニットは、ターゲット 及び 基板を大気に曝すことなく真空成膜室とのアクセスを可能としたロードロック室ユニットです。

短時間で超高真空に排気できるポンプを備えており、一つのトランスファー機構で L/L室−真空成膜室間のターゲット 及び 基板の搬送を可能にしています。

本システムは、パスカル製 PLD / レーザーMBE装置の基板加熱温度，ターゲット選択，ターゲット自転・揺動，コンビナトリアルマスク位置，基板回転などの制御に加え、アブレーションレーザーの発振なども同期制御が可能となっています。

オゾナイザーで発生したオゾンを小型冷凍機によって液化・貯蔵し、貯蔵室の温度を制御する事によって、液体オゾンを気化し高純度オゾンを発生供給する装置です。

活性原子 / ラジカルビーム源は水素，窒素，酸素などのガスを導入口とRF放電によりラジカルを形成する分解室 及び 基板に照射する噴出口から形成されています。

ルツボ内の原料をヒーターによって加熱・蒸発させることで、基板に分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy : MBE）蒸着させるための分子線セルです。

温度や原料，用途によってPBNや石英などのルツボ材質、タングステンやタンタルなどのヒーター材質を選択できます。

従来のマグネトロン放電領域を低圧力側に2桁以上拡張した超低圧力対応のマグネトロンスパッタガンです。

今まで不可能であった他の蒸着法との併用が可能となり、高純度の薄膜を得ることができます。

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