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真空薄膜形成装置 / 成膜装置
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関連技術情報
PLD / レーザーMBE装置
真空チャンバー内の原料ターゲットにレーザー光を照射して昇華させることで基板に薄膜を形成するパルスレーザーデポジション（Pulsed Laser Deposition : PLD）法では、真空度，レーザー，基板温度等の条件を規定すると、従来の（クヌーセンセルを用いた）分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy : MBE）法と同様の結晶成長ができます。
この成膜方法は、従来MBE法に倣ってレーザー分子線エピタキシー（Laser Molecular Beam Epitaxy : Laser MBE または LMBE）法と呼ばれており、パスカルでは、1995年より、このLMBE法を志向したPLD/LMBE装置の開発を行ってきました。
扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易
本装置は、超高真空成膜室に置かれたターゲット材にレーザー光を照射する事により、材料をレーザーアブレーションし、対向位置に置かれた基板上に材料を堆積させ、堆積膜を作製する装置です。
コンビができる、小さい、高機能、完全PC制御
本装置は超高真空環境において、石英窓を介して導入されたパルスレーザーの光をターゲットに照射して、対向する基板上に薄膜を堆積させるレーザーMBE装置です。
球型チャンバーで小型化と高い操作性を実現
本装置は、外部より導入されるアブレーション用レーザーを真空中のターゲットに照射し、基板にターゲット材を堆積させることが可能な超高真空装置です。
本真空装置は、連続発振の赤外線半導体レーザーを用いて有機半導体原料である昇華性粉末やイオン液体を気化させることにより、薄膜化する真空蒸着装置です。
成長温度の精密制御が可能であり、分子構造を破壊することなく高品質な薄膜が作製できます。
新製品情報
- 2021年3月
- 【真空搬送システム】
クラスターシステム - 2020年2月
- 【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS - 2017年3月
- 【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
イベント情報
- 2022年9月20日〜23日
- 【併設展示】
応用物理学会秋季学術講演会（於：東北大学 川内キャンパス）
トピックス
- 2021年5月1日
- 関東営業所（埼玉県新座市）を移転しました。
- 2018年12月17日
- 茨城事業所（茨城県那珂市）を移転しました。
- 2013年10月31日
- 文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム（COI STREAM）」拠点に東京大学等と共に採択されました。
- 2011年4月15日
- 原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。