ここからサイトの主なメニューです

コンパクトレ―ザーMBE装置

PAC-LMBE

コンパクトレ―ザーMBE装置

扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易

本装置は、超高真空成膜室に置かれたターゲット材にレーザー光を照射する事により、材料をレーザーアブレーションし、対向位置に置かれた基板上に材料を堆積させ、堆積膜を作製する装置です。

成膜室および真空排気系、ターゲット自公転ユニット、赤外線ランプ基板加熱ユニット、ロードロック室ユニットにより構成されております。

本装置の特長として、赤外線ランプ基板加熱ユニットにより従来困難であった酸素雰囲気中（500mTorr以上）でも800℃以上に基板加熱でき、サンプルを大気に曝すことなく成膜室に搬送できる機構を有しています。

特長

  • 拡張性の高い超高真空レーザーMBE（PLD）システム
  • 到達真空度　6.7×10-7Pa以下（5×10-9Torr）
  • 基板加熱ユニットとして、最大2インチの基板を800℃以上に加熱可能な赤外線ランプ加熱を搭載
  • 6種類のターゲットが使用可
  • ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を簡単交換
  • オプションポート ： 各種コンポーネント取付可能
  • コンピュータによる完全自動制御とコントローラでのエレクトロマニュアル制御のいずれか，または両方を選択可能
コンパクトレ―ザーMBE装置

主な仕様

成膜室および真空排気系
チャンバー形状 : φ300mm×500mmH 円柱形
到達真空度 : 6.7×10-7Pa以下（5×10-9Torr）
磁気浮上ターボポンプ　800L/s
ターゲット自公転ユニット
φ20mm×6軸
自転・公転モーター駆動（PC制御またはエレクトロマニュアル制御）
基板加熱ユニット
赤外線ランプ基板加熱ユニット　（半導体レーザー基板加熱ユニットへの変更可能）
基板サイズ : 1.5インチ（または 2インチ）
基板加熱温度 : 800℃以上
コンビナトリアルマスクユニット なし （オプション）
RHEEDユニット なし （オプション）
ロードロック室ユニット
チャンバー形状 : φ160mm×240mmH 円柱形
トランスファーロッド
収納数 : 基板ホルダー2個，ターゲットホルダー4個
共通仕様
チャンバーフレーム 1台，電源・コントロールラック（JIS規格準拠） 2台
以下の2つの制御方式のいずれか、または両方を選択可能
● コントローラによるエレクトロマニュアル制御
● PLD自動制御システム（PCおよび制御ソフトウェア）

主なオプション

お問い合わせ

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2022年9月20日〜23日
【併設展示】
応用物理学会秋季学術講演会（於：東北大学 川内キャンパス）
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所（埼玉県新座市）を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所（茨城県那珂市）を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム（COI STREAM）」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
  • ページの先頭に戻る